最新研究:下一代内存速度是DRAM的1000倍

  有新的证据表明,相变内存很有可能会是我们目前所使用 DRAM 内存的继任者。斯坦福大学的一个研究项目表明,相变内存的性能将达到目前 DRAM 内存的 1000 倍。

  此前,IBM 和英特尔等公司就已经开始从事相变内存方面的研究,它的工作原理是让一种非常特殊的物质在通电的情况下从无定形状态转换成有组织的刚性结晶状态。不过,状态转换的过程会出现延迟的情况。

  好在斯坦福大学的研究人员 Aaron Lindenberg 和他的团队通过研究找到了缩减延迟的方法。据了解,研究人员发现,相变内存在施加 0.5THz 的电脉冲时能够在几皮秒(1 秒相当于 10 的 12 次方皮秒)内转换为结晶状态。

  虽然大部分仍然处于无定形状态,但是我们可以认为,相变内存的相变过程达到了皮秒级别,而目前的 DRAM 内存则是纳秒级别(1 秒相当于 10 的 9 次方纳秒)。这意味着相变存储的存储速度能够达到 DRAM 的 1000 倍。

  Aaron Lindenberg 表示:“这项研究是非常有前途的,它不仅能够提升数据存储的速度,同时还可以降低能耗,即使断电了也不会造成数据丢失。”

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